I-V曲線校正方法-分析方法：

E01，通過（式（76）-（80））進(jìn)行修正，而作為E07標(biāo)注的方法使用（式（88）)而不是（ 式（76）)。然后，可以利用固有參數(shù)的平移值來模擬目標(biāo)條件下新的I-V曲線。

E02：血清法

Z初，我們有（方程（92）-（94））利用了SC、OC和MPP點(diǎn)。此外，由于平行電阻Rsh， 未知數(shù)減少到41使用在SC處計(jì)算的dI /dV的倒數(shù)進(jìn)行近似（公式（97）)：

因此，只需要一個(gè)方程來求解系統(tǒng)。已知P = I·V對V的導(dǎo)數(shù)在MPP處必須為零，這樣就可以推 導(dǎo)出以下表達(dá)式（式（98））：

一旦參數(shù)，就可以使用平移方程，模擬任何目標(biāo)條件下的曲線。塞拉等人。[60]建議使用

（公式（85）)代替（公式（77）)進(jìn)行校正是.要轉(zhuǎn)換Iph，方法E02可使用（式（99）)，而方 法E08使用（式（100）)：

E03：東方巖的方法 

為了將未知數(shù)減少到3個(gè)，Orioli和Di Gangi [61]假設(shè)Iph等于ISC在相同條件下（等式（ 101）)： Iph1=ISC1(101) 這組方程由（方程（96）)和兩個(gè)新的附加方程（方程（102）和（103）)組成，這樣的未 知數(shù)為(Is1, m,接收站1):

一旦確定了未知數(shù)，這種方法將使用不同的程序來轉(zhuǎn)換飽和電流是.首先，我們假設(shè)接收站2= 接收站1和Rsh2=Rsh1.然后第2版使用（式（43）)進(jìn)行計(jì)算。Z后，得到了新的值是2是由 （方程（104）)：

此方法E09與E03相同，但使用（式（88）)而不是（式（76）)來進(jìn)行校正Iph. 

E04：DeSoto的方法 

德索托等人。[62]提供了一些平移方程來修正STCs的固有參數(shù)到其他輻照度和溫度的條件 (見（式（106）），二極管理想因子m沒有除以Eg如在之前的其他表達(dá)式中，要翻譯的是)：

該方程組由（方程式（92）-（94）和（98）)組成，要求解決一個(gè)額外的條件。利用平移 方程，可以表示Iph（T2）、Is（T2）和職業(yè)（T2）Iph1,是1和第1版，通過（式（109））-（ 111））：

因此，在工作溫度下，使用OC點(diǎn)可以實(shí)現(xiàn)第五個(gè)方程T2（式（112）)，并假設(shè)Rsh (T2) = Rsh1:

另一種可能性是使用（公式（88））來翻譯Iph，這的過程在本文中稱為E10。 

E05：托萊多方法 

這種由Toledo和Blanes [63]開發(fā)的方法需要從初始曲線中輸入四個(gè)任意的I-V點(diǎn)作為輸入 來提取SDM的參數(shù)。因此，對于每個(gè)點(diǎn)，我們都需要電壓坐標(biāo)Vj、當(dāng)前坐標(biāo)Ij，以及在該點(diǎn)上的 I-V曲線的斜率。在我們的論文中，該方法使用SC、OC、MPP和MPP和OC之間的一個(gè)附加點(diǎn)進(jìn)行了 測試，使用a-冪函數(shù)（在描述該方法的原始論文中定義）和= 10進(jìn)行估計(jì)。 該方法是基于一個(gè)變量的單個(gè)方程的分辨率，稱為E。讓{V1，V2,V3,V4是四個(gè)選定點(diǎn)的電 壓坐標(biāo)，I2,I3,I4這些點(diǎn)的當(dāng)前坐標(biāo)，以及{IIII}在這些點(diǎn)上關(guān)于V的斜率或?qū)?shù)。 首先， 以下函數(shù){P1,P2,P3,P4}定義為：

在第二步中，{Q1, Q2, Q3, Q4}還定義了：

現(xiàn)在，可以定義多項(xiàng)式Z(E)（方程（121）)：

有必要找到一個(gè)小于任何{IIIII}的J對值的多項(xiàng)式的根。 這個(gè)值將等于輔助變量E。 然后，可以使用（方程（122）-（126））得到其他輔助變量K、D、C、B、A：

內(nèi)在參數(shù)由（式（127）-（131））給出，假設(shè)在我們的論文中平行細(xì)胞的數(shù)量為Np= 1:

Z后，方法E05使用（公式（76）、（77）、（79）和（80））將這些參數(shù)轉(zhuǎn)換為G和T的其他 條件，并使用SDM（公式(9)）對I-V曲線進(jìn)行模擬。在方法E11的情況下，（式（76）)用（式 （88）)代替。 

E06：肖的方法 

為了減少SDM中未知參數(shù)的數(shù)量，該方法忽略了平行電阻，i。e. , Rsh! ￥ .另一個(gè)合理 的簡化方法是識(shí)別所生成的照片Iph1 電流與短路電流有關(guān)ISC1( Iph1=ISC1).因此，需要三個(gè)方 程組來求解這個(gè)方程組。D一個(gè)是MPP點(diǎn)下的SDM模型（式（132）)：

第二個(gè)方程可以是飽和電流is的表達(dá)式1作為二極管理想性因子m的函數(shù)：

第三個(gè)方程來自于串聯(lián)電阻Rs的表達(dá)式1，根據(jù)理想性因子m（方程式（134）和（135）)：

Z后一步是修正來自(G1，T1）至(G2，T2使用 （公式（76）、（77）、（79）和（80）)。方法E12是相同的，但是使用了（式（88）)而不 是（式（76）)。

鏈接：IEC60891和其他溫度和輻照度校正程序與光伏器件I-V特性的比較